利用活性炭處理含鉻廢水是活性炭對溶液中六價鉻的物理吸附、化學(xué)吸附、化學(xué)還原等綜合作用的結(jié)果,活性炭中的微孔比表面積占活性炭比表面積的95%以上，在很大程度上決定了活性炭的吸附容量,活性炭是由木質(zhì)、煤質(zhì)和石油焦等含碳的原料經(jīng)熱解、活化加工制備而成，具有發(fā)達的孔隙結(jié)構(gòu)、較大的比表面積和豐富的表面化學(xué)基團，特異性吸附能力較強的炭材料的統(tǒng)稱,有學(xué)者提出將活性炭的孔徑分為三類：孔徑小于2nm為微孔，孔徑在2～50nm為中孔，孔徑大于50nm為大孔,*常用的吸油材料是活性炭，可吸附廢水中的分散油、乳化油和溶解油，大孔比表面積一般不超過0.5m2/g，僅僅是吸附質(zhì)分子到達微孔和中孔的通道，對吸附過程影響不大,活性炭中的灰分組成及其含量對炭的吸附活性有很大影響,炭化使碳以外的物質(zhì)揮發(fā)，氧化活化可進一步去掉殘留的揮發(fā)物質(zhì)，產(chǎn)生新的和擴大原有的孔隙，改善微孔結(jié)構(gòu)，增加活性,即使溫度高達2000 ℃以上也難以轉(zhuǎn)化為石墨，這種微晶結(jié)構(gòu)稱為非石墨微晶，絕大部分活性炭屬于非石墨結(jié)構(gòu),通常為粉狀或粒狀具有很強吸附能力的多孔無定形炭,活性炭對染料廢水有良好的脫色效果,由于活化的過程是一個微觀過程，即大量的分子碳化物表面侵蝕是點狀侵蝕 ，所以造成了活性炭表面具有無數(shù)細(xì)小孔隙,H-炭必須在惰性氣氛中冷卻，否則會轉(zhuǎn)變?yōu)長-炭,利用活性炭處理含鉻廢水是活性炭對溶液中六價鉻的物理吸附、化學(xué)吸附、化學(xué)還原等綜合作用的結(jié)果,活性炭的吸附性能與氧化活化時氣體的化學(xué)性質(zhì)及其濃度、活化溫度、活化程度、活性炭中無機物組成及其含量等因素有關(guān)，主要取決于活化氣體性質(zhì)及活化溫度。

         炭化使碳以外的物質(zhì)揮發(fā)，氧化活化可進一步去掉殘留的揮發(fā)物質(zhì)，產(chǎn)生新的和擴大原有的孔隙，改善微孔結(jié)構(gòu)，增加活性,活性炭是由石墨微晶、單一平面網(wǎng)狀碳和無定形碳三部分組成，其中石墨微晶是構(gòu)成活性炭的主體部分,即使溫度高達2000 ℃以上也難以轉(zhuǎn)化為石墨，這種微晶結(jié)構(gòu)稱為非石墨微晶，絕大部分活性炭屬于非石墨結(jié)構(gòu),因此，用活性炭處理含鉻廢水已得到廣泛應(yīng)用,染料廢水的脫色率隨溫度的升高而增加，而pH值對染料廢水的脫色效果沒有太大的影響,活性炭中的灰分組成及其含量對炭的吸附活性有很大影響,活性炭表面的微孔直徑大多在2～50nm之間，即使是少量的活性炭，也有巨大的表面積，每克活性炭的表面積為500~1500m2，活性炭的一切應(yīng)用，幾乎都基于活性炭的這一特點,煉油廠含油廢水，先經(jīng)隔油、氣浮和生物處理，再經(jīng)砂濾和活性炭過濾深度處理，活性炭表面的微孔直徑大多在2～50nm之間，即使是少量的活性炭，也有巨大的表面積，每克活性炭的表面積為500~1500m2，活性炭的一切應(yīng)用，幾乎都基于活性炭的這一特點,由于活性炭對油的吸附容量有限（一般為30～80mg/g)），成本高，再生困難，通常只用作含油廢水多級處理的*后一級處理，出水含油質(zhì)量濃度可降至0.1～0.2mg/L,活化溫度愈高，殘留的揮發(fā)物質(zhì)揮發(fā)愈完全，微孔結(jié)構(gòu)愈發(fā)達，比表面積和吸附活性愈大,中孔比表面積占活性炭比表面積的5%左右，是不能進入微孔的較大分子的吸附位，在較高的相對壓力下產(chǎn)生毛細(xì)管凝聚,活性炭中的灰分組成及其含量對炭的吸附活性有很大影響

         活性炭的孔徑分布范圍很寬，從小于1nm到數(shù)千nm,煉油廠含油廢水，先經(jīng)隔油、氣浮和生物處理，再經(jīng)砂濾和活性炭過濾深度處理,活性炭處理含鉻廢水，吸附性能穩(wěn)定，處理效率高，操作費用低，有一定的社會效益和經(jīng)濟效益,即使溫度高達2000 ℃以上也難以轉(zhuǎn)化為石墨，這種微晶結(jié)構(gòu)稱為非石墨微晶，絕大部分活性炭屬于非石墨結(jié)構(gòu),活性炭是一種經(jīng)特殊處理的炭，將有機原料（果殼、煤、木材等）在隔絕空氣的條件下加熱，以減少非碳成分（此過程稱為炭化），然后與氣體反應(yīng)，表面被侵蝕，產(chǎn)生微孔發(fā)達的結(jié)構(gòu) （此過程稱為活化）,活性炭的微晶結(jié)構(gòu)不同于石墨的微晶結(jié)構(gòu)，其微晶結(jié)構(gòu)的層間距在0.34～0.35nm之間，間隙大。

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